IKW50N65ES5绝缘栅双极晶体管(IGBT)适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用，可实现高效率和更快的产品上市周期，降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。该产品具有以下优势和技术参数：
IKW50N65ES5的优势
不需要 VCEpeak 箝位电路
不需要栅极箝位元件
出色的 EMI 行为
非常适合并联
技术参数
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值：274 W
开关能量：1.23mJ（导通），550µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：120 nC
25°C 时 Td（开/关）值：20ns/127ns
测试条件：400V，50A，8.2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：70 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
此外，IKW50N65ES5适用于需要高效率和快速开关频率的应用场景，如工业加热和焊接、不间断电源（UPS）等。由于其高效能和可靠性，该器件在工业和电力电子设备中有着广泛的应用前景。
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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