BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封装的单通道高侧功率开关,内置保护功能。
该功率晶体管采用带电泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构建。设计基于 Smart SIPMOS 芯片级封装技术。BTS5016SDA 具有电流控制输入,并提供诊断反馈,包括负载电流检测以及在过载运行、过温关机和/或短路关机情况下定义的故障信号。
产品特性——BTS5016SDA
可扩展产品系列的一部分
负载电流检测
Reversave™
极低待机电流
电流控制输入引脚
改进的电磁兼容性(EMC)
感应负载快速消磁
欠压条件下稳定运行
环保产品(符合RoHS标准)
AEC认证
优势——BTS5016SDA
高负载电流能力
高浪涌电流能力
高能量能力
集成保护功能
集成诊断功能
潜在应用——BTS5016SDA
汽车车身及便利系统
汽车照明
电源分配
继电器替代
保险丝替代
加热应用
型号
品牌
封装
数量
描述
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BTS5210L是英飞凌推出的 PROFET™(Protected FET)智能高侧电源开关,属于多通道功率开关IC,专为 汽车电子、工业控制及电源管理 等应用设计。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS™ 5功率MOSFET,设计符合提升系统效率的需求,同时可降低系统成本。相较于其他备选器件,该器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的导通电阻符合标准的开关性能(低品质因数Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系统的整体性能,同时还具有出色的稳健性。该产品针对低开关频率和高开关频率进行了优化,可为各种应用提供支持,实现灵活设计。主要规格FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生产的一款功率MOSFET产品,属于StrongIRFET™ 2系列。主要针对低开关频率和高开关频率进行了优化,实现了设计灵活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技术,可满足开关电源、电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等…电话咨询:86-755-83294757
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