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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO247-3 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。

UJ3C120040K3S 的特性

典型导通电阻 RDS（on），typ： 70 mΩ

最高工作温度为 175 °C .

出色的反向恢复能力

低栅极电荷

低本征电容

ESD 保护： HBM 2 级 

该器件无铅、无卤素，符合 RoHS 规范

UJ3C120040K3S 的典型应用

电动汽车充电

光伏逆变器

开关模式电源

功率因数校正模块

电机驱动器

感应加热

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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