UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 D'PAK-3L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。.
UJ3C065030B3 的特性
典型导通电阻 RDS(on),typ 为 27mS
最高工作温度为 175°C
出色的反向恢复
低栅极电荷
本征电容低
ESD 保护: HBM 等级 2 和 CDM 等级 C3
UJ3C065030B3 的典型应用
电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热
型号
品牌
封装
数量
描述
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