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IPG20N04S4L-18A是一款 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ T2 系列，采用 TDSON-8（PG-TDSON-8）封装。该器件具有 低导通电阻（RDS(on)） 和 高电流承载能力，适用于 高效率电源转换、电机驱动及工业自动化 等应用。

IPG20N04S4L-18A 核心特性

低导通电阻：4mΩ @ 10V VGS（典型值），降低功率损耗。

连续漏极电流（ID）：20A（Ta） / 60A（Tc）。

峰值脉冲电流（IDRM）：150A（短时脉冲）。

低栅极电荷（Qg）：12nC @ 10V，减少开关损耗。

工作温度范围：-55°C ~ +175°C（TJ）。

符合AEC-Q101汽车级认证，适用于严苛环境。

绿色环保：RoHS 合规，无铅设计。

规格参数

型号：IPG20N04S4L-18A

品牌：Infineon（英飞凌）

封装：TDSON-8（PG-TDSON-8）

通道类型：N沟道增强型

漏源电压（VDS）： 40V

连续漏极电流（ID）： 20A（Ta） / 60A（Tc）

导通电阻（RDS(on)）： 4mΩ @ 10V（典型值）

栅极电荷（Qg）： 12nC @ 10V

输入电容（Ciss） ：1990pF @ 25V

栅源电压（VGS）： ±20V（最大）

阈值电压（VGS(th)）： 2.2V @ 15µA

功率耗散（PD）： 41W（最大值）

工作温度范围： -55°C ~ +175°C（TJ）

符合标准：RoHS、无铅、AEC-Q101（汽车级）

包装方式：卷带（Tape & Reel）

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