F6102NTGK 是一款 8 元素接收器硅集成电路,采用 SiGe BiCMOS 工艺设计,适用于 Ka 波段 SATCOM 相控阵应用。核心集成电路具有 6 位相位控制和每个通道 30dB 增益控制,可实现辐射元件之间的精细波束转向和增益补偿。该器件具有 16dB 标称电增益和 -30dBm IP1dB。在工作频率范围内,核心芯片的有效相位误差为 3°,有效增益误差为 0.3dB。典型总功耗为 0.32W(每个通道 40mW)。
F6102NTGK 的特性
工作频率为 17.5 千兆赫至 21.5 千兆赫
8 个辐射通道
6 位相位控制
20ns 典型增益稳定时间
20ns 典型相位稳定时间
3° 典型有效值相位误差
0.3dB 典型有效值增益误差
30dB 增益衰减范围
5 位集成电路地址
带外部偏压的集成式比例-绝对温度 (PTAT) 传感器
-40°C 至 +95°C 间温度传感器
可编程 4 态片上存储器
电源电压 +2.1V 至 +2.5V
-40°C 至 +95°C 环境工作温度范围
27°C 典型环境工作温度
5mm X 5mm、40-QFN 封装
F6102NTGK 的竞争优势
高集成度
相位和振幅控制的正交性
先进的串行外设接口 (SPI),带 4 态存储器
出色的通道间隔离
占用空间最小
F6102NTGK 的应用
Ka 波段卫星通信
航空航天和海事
波束转向
测试和测量
型号
品牌
封装
数量
描述
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