IDH12G65C6是一款CoolSiC™肖特基二极管,具有650V的额定电压和G6的技术等级。该器件采用了先进的SiC肖特基势垒二极管技术,充分发挥了在硅上使用SiC的全部优势。英飞凌的专有创新焊接工艺、紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新的肖特基金属系统,使得IDH12G65C6在同类产品中表现出极其优秀的品质因数(Qcx VF),在各种负载条件下都表现出更高的效率。
技术参数
产品:IDH12G65C6
封装 / 箱体:TO-220-2
配置:Single
If - 正向电流:27 A
Vrrm - 重复反向电压:650 V
Vf - 正向电压:1.25 V
Ifsm - 正向浪涌电流:64 A
Ir - 反向电流 :1.2 uA
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
系列:XDH12G65
Pd-功率耗散:81 W
产品类型:SiC Schottky Diodes
Vr - 反向电压 :650 V
单位重量:2 g
型号
品牌
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描述
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