IDH08G65C6是一款碳化硅肖特基二极管，具有极高的效率和性价比。IDH08G65C6采用CoolSiC™技术，结合了薄晶圆技术和全新肖特基金属系统，能够在各种负载条件下表现出更高的效率。
技术参数
产品：IDH08G65C6
封装 / 箱体：TO-220-2
配置：Single
If - 正向电流：20 A
Vrrm - 重复反向电压：650 V
Vf - 正向电压：1.25 V
Ifsm - 正向浪涌电流：47 A
Ir - 反向电流 ：800 nA
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 175 C
系列：XDH08G65
Pd-功率耗散：63 W
产品类型：SiC Schottky Diodes
Vr - 反向电压 ：650 V
单位重量：2 g
应用领域
IDH08G65C6适用于需要高效率和高可靠性的应用场景，如高频开关电路和高性能能量转换解决方案。其优秀的性能使其成为这些应用中的理想选择。
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