AIDK16S65C5是第 5 代 CoolSiC™ 汽车肖特基二极管代表了英飞凌在碳化硅肖特基势垒二极管领域的领先技术。得益于紧凑的设计和基于薄晶圆的技术,该系列产品在所有负载条件下都能提高效率,这得益于其热特性和低功耗(Qc x Vf)。该产品系列旨在补充英飞凌的 IGBT 和 CoolMOS™ 产品组合。这可确保满足 650V 电压等级中最严格的应用要求。
AIDK16S65C5特点
- 革命性的半导体材料 - 碳化硅
- 基准开关性能
- 无反向恢复/无正向恢复
- 开关行为不受温度影响
- 高浪涌电流能力
- 无铅电镀;符合 RoHS 规范
- 结温范围为 -40°C 至 175°C
- 系统效率高于硅二极管
- 冷却要求降低,从而节省了系统成本/尺寸
- 实现更高频率/更高功率密度的解决方案
- 更低的工作温度带来更高的系统可靠性
- 减少电磁干扰
AIDK16S65C5 规格
技术: SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io) :16A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :1.7 V @ 16 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) :0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容: 483pF @ 1V,1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-2
工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C
AIDK16S65C5潜在应用
- 升压器/DCDC 转换器
- 板载充电器/PFC
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F3L600R10W4S7F-C22 带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和 CoolSiC™ 肖特基二极管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK™ 模块特征• 电气特性- VCES = 950 V- IC 标称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二极管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C• 机械特性- CTI >电话咨询:86-755-83294757
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