特性
1) 低导通电阻
2) 小型表面贴装封装（TSMT8）
3) 无铅电镀；符合RoHS标准
4) 无卤素
应用
开关
ROHM半导体公司的硅功率MOSFET提供一系列驱动类型（0.9V至20V），使其非常适合各种应用。
QH8MA4TCR 产品属性
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSMT-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 9 A, 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.3 mOhms, 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 2.5 V
Qg-栅极电荷: 15.5 nC, 19.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.6 W
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 7 ns, 22 ns
正向跨导 - 最小值: 4.4 S, 5.5 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns, 16 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns, 55 ns
典型接通延迟时间: 8 ns, 10 ns
零件号别名: QH8MA4
单位重量: 10 mg
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一，总部所在地设在日本京都市，ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
RGS50TSX2DGC11
RGS50TSX2DGC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。特性● 短路耐受时间：10μs● 内置FRD快速软恢复二极管● 集电极-发射极电压 (V…
RGWX5TS65HRC11
RGWX5TS65HRC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。特性● 低集极-射极饱和电压● 高速转换● 低开关损耗和软开关…
RGW00TS65DHRC11
RGW00TS65DHRC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。特性● 低集极-射极饱和电压● 高速转换● 低开关损耗和软开关● …
RGS50TSX2GC11
RGS50TSX2GC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。产品属性IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V电流 - 集电…
RGTV00TK65DGC11
RGTV00TK65DGC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和2μs短路耐受时间等特性。 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。产品属性IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最…
RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和…电话咨询：86-755-83294757
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