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英飞凌的IMDQ75R016M1H CoolSiC™ MOSFET 750 V 是一款高度坚固的 SiC MOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。

CoolSiC™ MOSFET 750 V 充分利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实现了最高的效率和功率密度。创新的顶部-侧面冷却封装进一步增强了 CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更低的系统和装配成本。

IMDQ75R016M1H特征描述

高度坚固的 750 V 技术

同类最佳的 RDS(on) x Qfr

出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG

同时具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能

100% 经过雪崩测试 

 .XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能

尖端的顶部冷却封装 

IMDQ75R016M1H产品规格

系列： CoolSiC™  

包装： 卷带（TR）剪切带（CT）

零件状态： 在售  

FET 类型： N 通道  

技术： SiC（碳化硅结晶体管）  

漏源电压（Vdss）： 750 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 98A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，20V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15毫欧 @ 41.5A，20A  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 14.9mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2869 pF @ 500 V  

功率耗散（最大值）： 384W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-HDSOP-22-1  

封装/外壳： 22-PowerBSOP 模块 

IMDQ75R016M1H潜在应用

固态继电器 (SSR)

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

• 2.公司商品都是原装正品吗？

  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。