英飞凌的IMDQ75R016M1H CoolSiC™ MOSFET 750 V 是一款高度坚固的 SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。
CoolSiC™ MOSFET 750 V 充分利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势,并具有栅极驱动灵活性,从而简化了系统设计,提高了成本效益,实现了最高的效率和功率密度。创新的顶部-侧面冷却封装进一步增强了 CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更低的系统和装配成本。
IMDQ75R016M1H特征描述
高度坚固的 750 V 技术
同类最佳的 RDS(on) x Qfr
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
同时具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能
100% 经过雪崩测试
.XT 互连技术,具有同类最佳的散热性能
尖端的顶部冷却封装
IMDQ75R016M1H产品规格
系列: CoolSiC™
包装: 卷带(TR)剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss): 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15毫欧 @ 41.5A,20A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +23V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2869 pF @ 500 V
功率耗散(最大值): 384W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
IMDQ75R016M1H潜在应用
固态继电器 (SSR)
型号
品牌
封装
数量
描述
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