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BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术，封装的工作温度也随之改善。新型组合提高了功率密度以及坚固性。

与额定值较低的设备相比，175°C TJ_MAX 的功率更高，能够在更高的结温下工作，或在同等结温下具有较长的使用寿命。而且，安全工作区（SOA）也扩大了20%。这款新型封装更加适合通信、电机驱动器和服务器之类的应用。

BSC010N04LST 特征描述

低 RDS(on)

针对同步整流进行优化

采用SuperSO8封装，工作温度提高到175°C

BSC010N04LST 产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 133 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 139 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 9 ns

正向跨导 - 最小值: 140 S

上升时间: 12 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

BSC010N04LST 潜在应用

电机驱动

服务器

通信

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