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IMZC120R053M2是CoolSiC™ MOSFET 分立式 1200 V、53 mΩ G2 采用 TO-247 4 引脚高爬电封装，在第 1 代技术优势的基础上进行了重大改进，为成本优化、高效、紧凑、易于设计和可靠的系统提供了先进的解决方案。它为所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合提供了更好的硬开关操作和软开关拓扑。

IMZC120R053M2器件规格

制造商: Infineon

产品种类: 碳化硅MOSFET

封装 / 箱体: TO-247-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV

Id-连续漏极电流: 38 A

Rds On-漏源导通电阻: 53 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5.1 V

Qg-栅极电荷: 30 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 182 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 5.9 ns

正向跨导 - 最小值: 9 S

上升时间: 5.5 ns

技术: SiC

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: SiC MOSFET

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 4.5 ns

特征

在 VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 53 mΩ

开关损耗极低

更宽的最大 VGS 范围 最大 VGS 范围从 -10 V 至 +25 V

过载工作温度可达 Tvj = 200°C

短路耐受时间 2 µs

基准栅极阈值电压 4.2 V

稳健的寄生导通

.XT 互连技术

更严格的 VGS(th) 参数分布

潜在应用

通用驱动器 (GPD)

电动汽车充电

在线 UPS/工业 UPS

太阳能优化器

组串逆变器

储能系统 (ESS)

焊接

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。