IMZC120R053M2H CoolSiC™ MOSFET 分立式 1200 V、53 mΩ G2 采用 TO-247 4 引脚,采用高爬电距离封装,以第一代技术的优势为基础,并进行了重大改进,为成本更优化、更高效、更紧凑、易于设计和更可靠的系统提供了先进的解决方案。它增强了 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级的所有常见组合的硬开关操作和软开关拓扑的更好性能。
IMZC120R053M2H 的特征:
• Tvj = 25°C 时 VDSS = 1200 V
• TC = 100°C 时 IDDC = 27 A
• VGS = 18 V,Tvj = 25°C 时,RDS(on) = 53 mΩ
• 极低的开关损耗
• 过载运行高达 Tvj = 200°C
• 短路耐受时间 2 μs
• 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.2 V
• 对寄生导通具有鲁棒性,可施加 0 V 关断栅极电压
• 用于硬换向的坚固体二极管
• .XT 互连技术,实现一流的热性能
应用:
• 通用驱动器 (GPD)
• 电动汽车充电
• 在线式 UPS/工业级 UPS
• 太阳能优化器
• 组串式逆变器
• 储能系统 (ESS)
• 焊接
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽车用CoolSiC™ MOSFET 1200 V/116 A Q-DPAK封装 (HDSOP-22-3), 19 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽车用CoolSiC™ MOSFET 1200 V/78 A Q-DPAK封装 (HDSOP-22-3), 30 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽车用CoolSiC™ MOSFET 1200 V/61 A Q-DPAK封装 (HDSOP-22-3), 40 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽车用CoolSiC™ MOSFET 1200 V/44 A Q-DPAK封装 (HDSOP-22-3), 60 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽车用CoolSiC™ MOSFET 1200 V/34 A Q-DPAK封装 (HDSOP-22-3), 80 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽车用CoolSiC™ MOSFET 1200 V/24 A Q-DPAK封装 (HDSOP-22-3), 117 mΩ
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IPW60R120P7 是 600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中,被定义为 “同类最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术,封装的工作温度也随之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道。电话咨询:86-755-83294757
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