IMZC120R053M2H CoolSiC™ MOSFET 分立式 1200 V、53 mΩ G2 采用 TO-247 4 引脚,采用高爬电距离封装,以第一代技术的优势为基础,并进行了重大改进,为成本更优化、更高效、更紧凑、易于设计和更可靠的系统提供了先进的解决方案。它增强了 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级的所有常见组合的硬开关操作和软开关拓扑的更好性能。
IMZC120R053M2H 的特征:
• Tvj = 25°C 时 VDSS = 1200 V
• TC = 100°C 时 IDDC = 27 A
• VGS = 18 V,Tvj = 25°C 时,RDS(on) = 53 mΩ
• 极低的开关损耗
• 过载运行高达 Tvj = 200°C
• 短路耐受时间 2 μs
• 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.2 V
• 对寄生导通具有鲁棒性,可施加 0 V 关断栅极电压
• 用于硬换向的坚固体二极管
• .XT 互连技术,实现一流的热性能
应用:
• 通用驱动器 (GPD)
• 电动汽车充电
• 在线式 UPS/工业级 UPS
• 太阳能优化器
• 组串式逆变器
• 储能系统 (ESS)
• 焊接
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP™5 IGBT 技术的绝缘栅双极晶体管(IGBT),在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能。具有以下优势和技术规格:产品优势具有出色的效率,降低结温和外壳温度,从而提高设备可靠性母线电压可提升50V,同时不影响可靠性更高的功率密度设…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封装的1200 V,8 A 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管器件,具有低饱和压降VCEsat,可在目标应用中实现超低导通损耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低饱和压降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)宽的dv/dt 可控范围应用领域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封装的1200 V,15 A 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管器件,具有低饱和压降VCEsat,可在目标应用中实现超低导通损耗。技术参数IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):34 A电流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封装的1200 V,8 A 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管器件,具有低饱和压降VCEsat,可在目标应用中实现超低导通损耗。其特征和技术规格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低饱和压降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)宽的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有低饱和压降VCEsat,可在目标应用中实现超低导通损耗。该器件具有以下优势和技术规格:IGB03N120S7的优势面向高电压辅助电源的紧凑设计降低电磁干扰技术规格IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (Ic)(最…电话咨询:86-755-83294757
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