C3M0045065D - 650V、45mΩ、49A、分立碳化硅功率 MOSFET 晶体管,采用 TO-247-3 封装
产品概览
Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET,扩大了其碳化硅 (SiC) 技术的领先优势,使更多电源系统实现了更小、更轻和更高效的功率转换。650 V MOSFET 产品系列是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。
产品属性
技术:碳化硅
安装方式:通孔
封装/外壳:TO-247-3
晶体管极性:N-通道
通道数:1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:650 V
Id - 漏极连续电流:49 A
Rds On - 漏极-源极电阻:45 mOhms
Vgs - 栅极源极电压:- 8 V,+ 19 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压:3.6 V
Qg - 栅极电荷:63 nC
最低工作温度:- 40°C
最高工作温度:175°C
Pd - 功率耗散:176 W
通道模式:增强型
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括:可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。C3M0280090J的规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-247-3封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-263-7封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0350120J的规格:…C2M0080120D
C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET,具有同类中最低的开关损耗以及超高的开关频率,提供世界级的效率。这些MOSFET经过优化,适用于能效关键型高压应用,如高压电源、辅助电力电子电路、3-10kW太阳能逆变器、工业电机驱动器、大功率直流数据中心电源系统结构…C2M0025120D
C2M0025120D是一款1200 V, 25 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有同类中最低的开关损耗以及超高的开关频率,提供世界级的效率。这些MOSFET经过优化,适用于能效关键型高压应用,如高压电源、辅助电力电子电路、3-10kW太阳能逆变器、工业电机驱动器、大功率直流数据中心电源系统结…C3M0016120K1
C3M0016120K1是设计符合工业标准的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有高速开关特性,电容低,阻断电压高,导通电阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化,如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压…电话咨询:86-755-83294757
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