C3M0040120K -1200V、40mohm N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管
产品描述
C3M0040120K 是采用 TO-247-4 封装的 1200V N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET 晶体管。Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化,适用于 UPS、电机控制和驱动器、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压 DC/DC 转换器等大功率应用。
主要特性
随温度变化的稳定 RDS(ON)
提供带独立开尔文源引脚的封装选项
极快的开关速度
降低散热器要求
优点
更易于驱动(+15V 栅极驱动)
提高系统级效率
坚固的体二极管(无需外部二极管)
雪崩坚固耐用
应用
太阳能逆变器和储能
车载和快速直流电动汽车充电系统
电机控制和驱动
焊接和感应加热
辅助电源
高压直流/直流转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半桥模块。HAS310M17BM3 的特点工业标准 62 mm 基底面外壳 CTI ≥ 600(I 类材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 标准高湿度操作 THB-80 (HV-H3TRB)专为碳化硅优化的低电感设计超低损耗、高频运行常开、故障安全器件操作铜基板和氮化铝绝缘…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块,带预应用热接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳,可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB6R0A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路实…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块,带预应用热接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳,可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB7R5A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块,带预应用热接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳,可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB5R0A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路实…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括:可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。C3M0280090J的规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-247-3封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0160120D…电话咨询:86-755-83294757
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