E3M0040120J2 -1200V E-系列汽车用碳化硅功率 MOSFET 晶体管,采用 TO-263-7 封装
产品描述
E3M0040120J2 是 1200V E-系列汽车碳化硅功率 MOSFET 晶体管。Wolfspeed 通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET,扩大了其在碳化硅领域的领先地位,该系列 MOSFET 符合汽车标准,具有 PPAP 能力和防潮性能。它采用了 Wolfspeed 的第三代坚固耐用技术,具有业界最低的开关损耗和最高的性能指标。E 系列 MOSFET 经过优化,可用于电动汽车电池充电器和高压 DC/DC 转换器,并在 Wolfspeed 的 22kW 双向高效 DC/DC 转换器参考设计中得到应用。
主要特点
通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求
在整个工作温度范围内具有高击穿电压
高速开关,输出电容低
高阻塞电压,低 RDS(on)
本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低
优势
耐高压、高温和高湿度,真正实现了太阳能转换和车外充电的户外应用
降低冷却要求
显著缩小系统尺寸
易于并联,驱动简单
减轻续航焦虑,加快充电速度
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半桥模块。HAS310M17BM3 的特点工业标准 62 mm 基底面外壳 CTI ≥ 600(I 类材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 标准高湿度操作 THB-80 (HV-H3TRB)专为碳化硅优化的低电感设计超低损耗、高频运行常开、故障安全器件操作铜基板和氮化铝绝缘…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块,带预应用热接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳,可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB6R0A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路实…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块,带预应用热接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳,可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB7R5A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块,带预应用热接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳,可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB5R0A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路实…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括:可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。C3M0280090J的规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-247-3封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0160120D…电话咨询:86-755-83294757
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