C3M0025065J1 是 650V N 沟道增强型 SiC MOSFET 晶体管,采用 TO-263-7 封装。它是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。
C3M0025065J1 - 650V N 沟道增强型 SiC MOSFET 晶体管,采用 TO-263-7 封装
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 33.5A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 9.22mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):109 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+19V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2980 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):271W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263-7
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
型号
品牌
封装
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描述
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