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C3M0025065K - 650V N 沟道增强型碳化硅 MOSFET 晶体管，采用 TO-247-4 封装 

产品描述

C3M0025065K 是 650V N 沟道增强型碳化硅 MOSFET 晶体管，采用 TO-247-4 封装。它是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。

产品属性

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 650 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 97A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 34 毫欧 @ 33.5A，15V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 9.22mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 112 nC @ 15 V  

Vgs（最大值） +19V，-8V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2980 pF @ 600 V  

功率耗散（最大值） 326W（Tc）  

工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 TO-247-4L  

封装/外壳 TO-247-4

主要特性

低导通电阻

超低反向恢复的快速二极管

高温工作（TJ = 175°C）

外形小巧

低引线电感

低热阻抗

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

• 2.公司商品都是原装正品吗？

  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。