IPDQ60R037CM8 是 600V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管,采用 PG-HDSOP-22 封装。
特性
同类最佳 RDS(on)*A
显著降低损耗
出色的换向坚固性
集成快速体二极管
.XT 互连
ESD 保护
顶部冷却 QDPAK 封装
2000 周期 TCoB
优势
功率密度更高
易于使用和快速设计
振铃倾向低
简化热管理
简化产品组合
兼容 SMT
降低装配成本
减少杂散电感
减少空间
应用
电源和转换器
PFC 级和 LLC 谐振转换器
高效开关应用,例如:服务器、电信、电动汽车充电、UPS
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…CY62157G18-55BVXA
CY62157G18-55BVXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G18-55BVXI
CY62157G18-55BVXI是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45BVXI
CY62157G30-45BVXI 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45ZSX
CY62157G30-45ZSX 是一款8Mb、高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用44-TSOP封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量…CY62157G30-45ZXA
CY62157G30-45ZXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量:8Mb存储器组织:512K…电话咨询:86-755-83294757
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