STGD4H60DF 600V IGBT是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是H系列IGBT中的一员，能够有效平衡导通损耗与开关损耗，从而显著提升了高开关频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。
产品属性
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：16 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，3A
功率 - 最大值：75 W
开关能量：68µJ（导通），45µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：35 nC
25°C 时 Td（开/关）值：35ns/121ns
测试条件：400V，3A，47 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：73 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
供应商器件封装：DPAK（TO-252）类型 C2
型号
品牌
封装
数量
描述
答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
STL175N4LF8AG
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。
STL170N4LF8
STL170N4LF8是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟道栅极结构。
ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装，具有高端性能，为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。
STL305N4LF8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。
STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
