STGWA40H65FB是使用ST专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。该器件是新HB系列IGBT的一员，代表了传导和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度地提高任何变频器的效率。此外，稍正的VCE（sat）温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更加安全。
产品属性
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
功率 - 最大值：283 W
开关能量：498µJ（开），363µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：210 nC
25°C 时 Td（开/关）值：40ns/142ns
测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247 长引线
基本产品编号：STGWA40
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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