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产品分类

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商品型号:IKB30N65EH5ATMA1

商品名称:IKB30N65EH5ATMA1

品牌:INFINEON

年份:24+

封装:TO-263-3

货期:全新原装

库存数量:1000

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技术参数

制造商
INFINEON
型号
IKB30N65EH5ATMA1
封装
TO-263-3
描述
IGBT 沟槽场截止 650V 55A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

产品描述

IKB30N65EH5ATMA1 - 650V、55A IGBT 晶体管,带反并联二极管,采用 TO-263 封装


产品描述

IKB30N65EH5ATMA1 - 硬开关 650V、55A TRENCHSTOP™ 5 高速 IGBT,采用 D2Pak (TO263) 封装,与全额定电流 Rapid 1 反并联二极管组合在一起,重新定义了 "同类最佳 "IGBT,为硬开关应用提供了无与伦比的高效性能。该系列是 IGBT 创新的重大突破,可满足未来市场对高效率的需求。


特性概述

与英飞凌的高速 3 系列相比,具有 650 V 的突破性电压

Qg 降低 2.5 倍

开关损耗降低 2 倍

VCEsat 降低 200 mV

与英飞凌的新型快速 Si- 二极管技术共同封装

低 COES /EOSS

温和的正温度系数 VCEsat

Vf 的温度稳定性


优势

同类产品中效率最高,从而降低了结温和外壳温度,提高了器件可靠性

在不影响可靠性的情况下,总线电压可提高 50 V

更高的功率密度设计


应用

储能系统

微型逆变器解决方案

光伏

不间断电源 (UPS)


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

STG200G65FD8AG

ST

SMD

3222

IGBT 沟槽型场截止 650 V 200 A 表面贴装型 SMD

STGD4H60DF

ST

TO-252

3222

IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 DPAK(TO-252)类型 C2

STGWA40H65FB

ST

TO-247-3

3222

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线

IKY120N65EH7XKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

650V、120A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247-4 封装

IKB30N65ES5ATMA1

INFINEON

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽场截止 650V 62A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

RGS60NL65DHRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽型场截止 650V 59A 228W 表面贴装型 TO-263L

RGS60NL65HRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽型场截止 650V 59A 228W 表面贴装型 TO-263L

RGS50NL65HRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽型场截止 650V 50A 206W 表面贴装型 TO-263L

RGS30NL65DHRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 晶体管,8 秒短路容差,650V 15A

RGW80NL65DHRBTL

ROHM

TO-263-3

2000

650V 40A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…

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