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IQE057N10NM6CG是OptiMOSTM6 功率晶体管，电压100V。

产品种类: MOSFET   

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TTFN-9  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 100 V  

Id-连续漏极电流: 98 A  

Rds On-漏源导通电阻: 5.7 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.3 V  

Qg-栅极电荷: 26 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 125 W  

通道模式: Enhancement    

下降时间: 4.6 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 1.9 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 12 ns  

典型接通延迟时间: 5.6 ns 

特性

•N 通道，正常电平

•极低的开电阻 RDS（导通）

•卓越的栅极充电 x 开路电阻产品（FOM

•极低反向恢复电荷（Qrr）

•高雪崩能级

•175°C 工作温度

•优化用于高频开关和同步校正

•无铅镀层；符合 RoHS 标准

•无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

•根据 J-STD-020 标准，已通过MSL1 级认证

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。