IXYK120N120C3 器件采用最先进的genx 3 IGBT工艺和极轻穿通(XPT)设计平台制造,具有高电流处理能力、高速开关能力、低总能量损耗和低电流下降时间等特性。该IGBT具有正的集电极-发射极电压温度系数,使得设计人员可以并联使用多个器件来满足高电流要求。
规格
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):700 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,120A
功率 - 最大值:1500 W
开关能量:6.75mJ(开),5.1mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:412 nC
25°C 时 Td(开/关)值:35ns/176ns
测试条件:600V,100A,1 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装:TO-264(IXYK)
基本产品编号:IXYK120
型号
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IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…
IXFX230N20T
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IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管,其导通电阻(RDS(on))为30mΩ,这意味着在导通状态下,器件的电阻较小,有助于减少能量损耗。该IXSH80N120L2KHV器件适用于需要高效率、快速开关和低损耗的应用,如车载充电器、电动汽车/混合动力汽车的DC/DC变换…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工业级SiC MOSFET,其耐压值为1200V,具有低导通电阻和高速开关特性,适用于高功率应用场景。IXSH40N120L2KHV具有较低的导通电阻,有助于减少能量损耗,提高系统效率。技术参数产品:IXSH40N120L2KHV封装 / 箱体:TO-247-4L晶体管极性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工业级、单开关SiC MOSFET,具有低损耗、快速切换的特性,适用于高速度工业开关模式电源供应。主要特性低导通损耗:IXSA80N120L2-7的导通损耗非常低,具体为30mΩ。低栅极驱动功率要求:栅极驱动电压范围为-3/+15到18V。低热管理需求:该MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工业级单管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有优异的功率循环特性和快速、低损耗的开关行为。应用领域IXSA40N120L2-7适用于多种高功率和高频率的应用场景,包括:太阳能逆变器开关模式电源不间断电源电机驱动DC/DC转换器电动汽车充电基础设施感应加热…电话咨询:86-755-83294757
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