GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半桥模块具有低开关损耗、低结壳热阻以及非常坚固和易于安装的特点。该模块在175°C结温下工作,符合RoHS标准。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。
规格
技术:碳化硅(SiC)
配置:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):348A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7mOhm @ 200A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 80mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):978nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):29300pF @ 800V
功率 - 最大值:1.042kW(Tc)
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
型号
品牌
封装
数量
描述
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SemiQ 设计、开发和制造碳化硅 (SiC) 功率半导体以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二极管和 MOSFET 提供分立和模块以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 还提供电源转换应用方面的专业知识,其中包括子系统设计和半定制模块。SemiQ 服务于以下终端市场:电动汽车充电器和充电站、功率…
GCMX020B120S1-E1
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