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STH60N099DM9-2AG MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强型器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。该功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt耐受性、高功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

产品属性

产品种类 ：MOSFET

技术 ：Si

安装风格 ：SMD/SMT

封装 / 箱体 ：H2PAK-2

晶体管极性 ：N-Channel

通道数量 ：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压 ：600 V

Id-连续漏极电流 ：27 A

Rds On-漏源导通电阻 ：99 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压 ：30 V

Vgs th-栅源极阈值电压 ：4.5 V

Qg-栅极电荷 ：44 nC

最小工作温度 ：- 55°C

最大工作温度 ：+ 150°C

Pd-功率耗散 ：179 W

通道模式 ：增强型

封装 ：卷带

商标 ：STMicroelectronics

配置 ：单通道

下降时间 ：5 ns

产品类型 ：MOSFET

上升时间 ：8 ns

工厂包装数量 ：1000

子类别 ：MOSFETs

晶体管类型 ：1 N-Channel

典型关闭延迟时间 ：58 ns

典型接通延迟时间 ：18 ns

单位重量 ：1.490 g

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