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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

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图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：STH60N099DM9-2AG

商品名称：STH60N099DM9-2AG

品牌：ST

年份：23+

封装：H2PAK-2

货期：全新原装

库存数量：2000 件

数量:
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公司名称：

技术参数

制造商
ST
型号
STH60N099DM9-2AG
封装
H2PAK-2
描述
表面贴装型 N 通道 600 V 27 A 76 mOhm H2PAK-2

产品描述

STH60N099DM9-2AG MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强型器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。该功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt耐受性、高功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。


产品属性

产品种类 ：MOSFET

技术 ：Si

安装风格 ：SMD/SMT

封装 / 箱体 ：H2PAK-2

晶体管极性 ：N-Channel

通道数量 ：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压 ：600 V

Id-连续漏极电流 ：27 A

Rds On-漏源导通电阻 ：99 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压 ：30 V

Vgs th-栅源极阈值电压 ：4.5 V

Qg-栅极电荷 ：44 nC

最小工作温度 ：- 55°C

最大工作温度 ：+ 150°C

Pd-功率耗散 ：179 W

通道模式 ：增强型

封装 ：卷带

商标 ：STMicroelectronics

配置 ：单通道

下降时间 ：5 ns

产品类型 ：MOSFET

上升时间 ：8 ns

工厂包装数量 ：1000

子类别 ：MOSFETs

晶体管类型 ：1 N-Channel

典型关闭延迟时间 ：58 ns

典型接通延迟时间 ：18 ns

单位重量 ：1.490 g


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品牌

封装

数量

描述

IPLU300N04S4-R8

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PG-HSOF-8

12000

40 V，N沟道，最大0.77 mΩ，汽车MOSFET，TOLL（10x12），OptiMOS™-T2

IAUCN08S7N016

INFINEON

PG-LHDSO-10

2000

汽车级MOSFET N-通道 80 V 175A 205W PG-LHDSO-10

IPD14N06S2-80

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PG-TO252-3

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55V 80mΩ OptiMOS™ 汽车 MOSFET 晶体管

IPD90P03P4L-04

INFINEON

PG-TO252-3

15000

-30V，P-Ch，最大 4.5 mΩ，汽车 MOSFET，DPAK，OptiMOS™-P2

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IAUTN08S5N012L

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2000

N 沟道 OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET 晶体管

IAUCN04S7N056D

INFINEON

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2000

N 沟道 OptiMOS™ 7 汽车 MOSFET 晶体管

STW58N60DM2AG

ST

TO-247-3

15000

汽车级N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装

IPG20N04S4L-11

INFINEON

PG-TDSON-8

35000

40V，双 N-Ch，最大 11.6 mΩ，汽车 MOSFET，双 SS08 (5x6)，OptiMOS™-T2

IPZ40N04S5L-2R8

INFINEON

TSDSON-8

20000

汽车 MOSFET，S3O8，OptiMOS™-5 功率晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

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ST

ST

意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…

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