MT53E768M64D4HJ-046 WT:C - 动态随机存取存储器DRAM - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：MT53E768M64D4HJ-046 WT:C

商品名称：MT53E768M64D4HJ-046 WT:C

数据手册：MT53E768M64D4HJ-046 WT:C.pdf

品牌：Micron

年份：23+

封装：556-TFBGA

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

Micron

型号

MT53E768M64D4HJ-046 WT:C

封装

556-TFBGA

描述

存储器IC LPDDR4 DRAM 48GBIT 64 556-TFBGA

产品描述

MT53E768M64D4HJ-046 WT:C 具有低VDDQ的6GB移动低功耗LPDDR4 DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储设备。该器件内部配置有1通道×16 I/O，具有8个存储体。该存储器采用556-TFBGA引脚封装，工作温度在–25°C to +85°C范围内。

特性：

•超低电压内核和I/O电源：

–VDD1=1.70–1.95V 1.80V标称值

–VDD2=1.06–1.17V 1.10V标称值

–VDDQ=0.57–0.65V 0.60V标称值或VDDQ=1.06–1.17V 1.10V标称值

•频率范围

–2133–10 MHz（每个引脚的数据速率范围：4266–20Mb/s）

•16N预取DDR架构

•每个通道8个内部存储体，用于并行操作

•单数据速率CMD/ADR输入

•每个字节通道的双向/差分数据选通

•可编程读写延迟（RL/WL）

•可编程和即时猝发长度（BL=16，32）

•按存储体定向刷新，可实现并行存储体操作，并简化命令调度

•每个裸片x16通道高达8.5 GB/s

•片内温度传感器控制自刷新速率

•部分阵列自刷新（PASR）

•可选输出驱动强度（DS）

•时钟停止功能

•符合RoHS规范，“绿色”包装

•可编程VSS（ODT）端接

•单端CK和DQS支持

常见问题

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