MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B - 动态随机存取存储器DRAM

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商品型号：MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B

商品名称：MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B

品牌：Micron

年份：23+

封装：TFBGA

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

制造商

Micron

型号

MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B

封装

TFBGA

描述

SDRAM - 移动LPDDR4X存储器IC 16Gbit并行2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA（10x14.5）

Micron MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。

规格

存储器类型：挥发性

存储器格式： DRAM

技术： SDRAM - 移动 LPDDR4X

存储器大小： 16Gbit

存储器组织： 512M x 32

存储器接口：平行

时钟频率： 2.133 GHz

写入周期时间 - 字，页： 18ns

访问时间： 3.5 ns

电压 - 电源：1.06V ~ 1.17V

工作温度： -40°C ~ 125°C (TC)

安装类型：表面贴装

封装/外壳： 200-TFBGA

供应商器件封装： 200-TFBGA (10x14.5)

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
2.公司商品都是原装正品吗？

答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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