商品名称：RJP65T54DPM-A0
数据手册：
RJP65T54DPM-A0.pdf
品牌：Renesas
年份：23+
封装：TO-3PFP
货期：全新原装
库存数量：1000 件
RJP65T54DPM-A0具有低集电极至发射极饱和电压 VCE(sat) = 1.35 V typ.（在 IC = 30 A、VGE = 15 V、Ta = 25°C 时），隔离封装，采用沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H 系列），高速开关，工作频率（50Hz ≤ f ˂ 20kHz），不保证短路耐受时间。
产品属性
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.68V @ 15V，30A
功率 - 最大值：63.5 W
开关能量：330µJ（开），760µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：72 nC
25°C 时 Td（开/关）值：35ns/120ns
测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：SC-94
供应商器件封装：TO-3PFP
型号
品牌
封装
数量
描述
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RA0E1 产品组是 RA0 系列中的入门级简易 MCU，具有出色的成本效益和超低功耗。电话咨询：86-755-83294757
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