RJP65T54DPM-A0 - IGBT 单管 - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：RJP65T54DPM-A0

商品名称：RJP65T54DPM-A0

数据手册：RJP65T54DPM-A0.pdf

品牌：Renesas

年份：23+

封装：TO-3PFP

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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技术参数

制造商

Renesas

型号

RJP65T54DPM-A0

封装

TO-3PFP

描述

IGBT 沟道 650 V 60 A 63.5 W 通孔 TO-3PFP

产品描述

RJP65T54DPM-A0具有低集电极至发射极饱和电压 VCE(sat) = 1.35 V typ.（在 IC = 30 A、VGE = 15 V、Ta = 25°C 时），隔离封装，采用沟槽栅极和薄晶圆技术（G7H 系列），高速开关，工作频率（50Hz ≤ f ˂ 20kHz），不保证短路耐受时间。

产品属性

IGBT 类型：沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.68V @ 15V，30A

功率 - 最大值：63.5 W

开关能量：330µJ（开），760µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：72 nC

25°C 时 Td（开/关）值：35ns/120ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：SC-94

供应商器件封装：TO-3PFP

常见问题

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