商品名称：RJP65T43DPQ-A0
数据手册：
RJP65T43DPQ-A0.pdf
品牌：Renesas
年份：23+
封装：TO-247-3
货期：全新原装
库存数量：1000 件
RJP65T43DPQ-A0拥有的出色技术和能力几乎可满足当今的一切需求，包括安全技术、微型化和节能技术、网络以及接口技术。Renesas致力于突破创新，成为真正的智能芯片解决方案提供商 — 其所在领域的全球知名企业。
产品属性
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值：150 W
开关能量：170µJ（开），130µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：69 nC
25°C 时 Td（开/关）值：35ns/105ns
测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247A
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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