商品名称:AIGBE40N65F5
数据手册:AIGBE40N65F5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:D2PAK
货期:全新原装
库存数量:1000 件
AIGBE40N65F5 650V IGBT晶体管采用F5优化的TrenchStop™5汽车技术,以实现车载充电器、PFC、DC/DC和DC/AC等汽车应用的最高效率快速切换。TrenchStop™5 Auto是一种IGBT技术,可在同类产品中实现世界最低的开关和导通损耗。
功能摘要
低VCEsat的TrenchStop™5技术,优化为F5变体(最高效率变体),以实现尽可能高的开关速度
650V击穿电压,40A标称电流
开关速度极快(高达150kHz)
符合英飞凌质量标准的汽车认证
最大结温175°C
最高效率
极低的传导损耗
极低的开关损耗
极低的结温和外壳温度
采用7引脚SMD D2PAK封装,装配成本更低,功率密度更高,爬电距离更优
非常坚固
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IDW10G120C5B
IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅(SiC)肖特基二极管,属于 CoolSiC™ 第五代 产品系列,采用 TO-247-3 封装BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS™ 3 N 沟道功率 MOSFET 晶体管是性能领先的基准技术,完全适用于 48V 系统中的同步整流、DC-DC 转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动器的逆变器。BSZ42DN25NS3G 的规格晶体管极性:N 沟道通道数:1 通道Vds - 漏极-源极击穿电压:250 VId…CY91F587LBPMC-GTE1
CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列单核微控制器,具有 128MHz 的主频、1.0625MB 的闪存(1.0625M x 8)、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80 是 55V 80mΩ OptiMOS™ N 沟道汽车 MOSFET 晶体管。IPD14N06S2-80 的特性N 沟道 - 增强模式通过汽车 AEC Q101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260C175C 工作温度绿色封装(无铅)超低 Rds(on)100% 雪崩测试IPD14N06S2-80 的优势在 55V(导通)电压下,为平面技…IRF1310NPBF
IRF1310NPBF是一款100V 单 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封装。电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: