商品名称:FF4MR20KM1HP
数据手册:FF4MR20KM1HP.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:Module
货期:全新原装
库存数量:1000 件
FF4MR20KM1HP 62 毫米 CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 2000 V、3.5 mΩ G1,采用众所周知的 62 毫米外壳设计,采用 M1H 芯片技术和预涂热界面材料 (TIM)。
产品属性
技术:碳化硅(SiC)
配置:2 个 N 沟道
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss):2000V(2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 300A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.15V @ 168mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1170nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):36100pF @ 1.2kV
工作温度:-40°C ~ 175°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-62MMHB
应用
● 储能系统
● 电动汽车充电
● 光伏
● 牵引
● 不间断电源 (UPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装
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