商品名称：FF4MR20KM1HP
数据手册：
FF4MR20KM1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
FF4MR20KM1HP 62 毫米 CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 2000 V、3.5 mΩ G1，采用众所周知的 62 毫米外壳设计，采用 M1H 芯片技术和预涂热界面材料 (TIM)。
产品属性
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 个 N 沟道
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：2000V（2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：280A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 300A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.15V @ 168mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1170nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：36100pF @ 1.2kV
工作温度：-40°C ~ 175°C
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-62MMHB
应用
● 储能系统
● 电动汽车充电
● 光伏
● 牵引
● 不间断电源 (UPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要，在这些应用中，价格/性能、实时响应性、计算能…
TPS53688RSBR
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TPS53676RSLR
TPS53676RSLR - 带 AVSBus 的双通道 D-CAP+ 降压、多相控制器产品概述TPS53676RSLR 是一款具有双通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和 PMBus™ 兼容串行接口的降压型控制器，与 TI NexFET™ 智能功率级完全兼容。D-CAP+™ 架构等先进的控制功能可提供快速瞬态响应、低输出电…
TPS53689RSBR
TPS53689RSBR - 带有 VR14 SVID 和 PMBus 的双通道、8 相降压、数字多相 D-CAP+™ 控制器产品概述TPS53689RSBR 是一款符合 VR14 SVID 标准的降压控制器，具有两个通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和 PMBus™ 接口，并与 TI NexFET™ 功率级完全兼容。它提供新颖的相位交错…
TPS536C5RSLR
TPS536C5RSLR - 带 SVI3 和 PMBus 的 12 相数字降压多相控制器产品概述TPS536C5RSLR 是一款完全符合 AMD SVI3 标准的降压控制器，具有双通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和 PMBus™ 接口，并与 TI NexFET™ 智能功率级完全兼容。它提供新颖的相位交错策略和动态相位切除，…
TPS53685RSBR
TPS53685RSBR - 面向 AMD 平台、带 SVI3 和 PMBus 的八相数字降压多相控制器产品概述TPS53685RSBR 是一款完全符合 AMD SVI3 标准的降压控制器，支持跨电感稳压器 (TLVR) 拓扑、双通道、内置非易失性存储器 (NVM)、PMBus™ 接口，并完全兼容 TI NexFET™ 智能功率级。D-CA…电话咨询：86-755-83294757
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