商品名称：FF4MR20KM1HP
数据手册：
FF4MR20KM1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
FF4MR20KM1HP 62 毫米 CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 2000 V、3.5 mΩ G1，采用众所周知的 62 毫米外壳设计，采用 M1H 芯片技术和预涂热界面材料 (TIM)。
产品属性
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 个 N 沟道
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：2000V（2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：280A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 300A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.15V @ 168mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1170nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：36100pF @ 1.2kV
工作温度：-40°C ~ 175°C
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-62MMHB
应用
● 储能系统
● 电动汽车充电
● 光伏
● 牵引
● 不间断电源 (UPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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