商品名称：SH32N65DM6AG
数据手册：
SH32N65DM6AG.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：9-PowerSMD
货期：全新原装
库存数量：1000 件
SH32N65DM6AG 是采用 ACEPACK SMIT 封装的汽车级 N 沟道 650 V、典型值 89 mΩ、32 A MDmesh DM6 半桥拓扑功率 MOSFET 晶体管。
产品特性
半桥电源模块
650 V 阻塞电压
快速恢复体二极管
开关能量极低
封装电感低
直接键合铜（DBC）基板上的晶粒
热阻低
隔离额定值为 3.4 kVrms/min
应用
开关应用
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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