商品名称：M1F45M12W2-1LA
数据手册：
M1F45M12W2-1LA.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：2000 件
这款 M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32 电源模块采用集成 NTC 的四组拓扑结构，专为混合动力和电动汽车中 OBC 的 DC/DC 转换器级量身定制。该电源模块采用了意法半导体的四个第三代碳化硅功率 MOSFET。由于采用了公认的芯片技术，ACEPACK DMT-32 可确保在能量损耗和高开关频率工作模式之间实现最佳折衷。通过该模块，您可以创建具有极高功率密度和高效率要求的复杂拓扑结构。氮化铝绝缘基板实现了最佳的热性能。此外，由于采用了特殊的设计，模塑上的凹槽确保了较高的爬电距离。
所有功能
符合 AQG 324 标准
1200 V 阻塞电压
47.5 mΩ 的典型 RDS(on)
最高工作结温 TJ = 175 °C
基于 DBC Cu-AlN-Cu 基底面，可提高热性能
绝缘电压 3 kV
集成 NTC 温度传感器
应用
• 板载充电器 (OBC)
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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