商品名称:BSM600D12P3G001
数据手册:BSM600D12P3G001.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封装:Module
货期:全新原装
库存数量:1000 件
BSM600D12P3G001功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比,此优化设计减少了杂散电感。另外,为了防止发生过热情况,还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。
产品属性
技术:碳化硅(SiC)
配置:2 个 N 通道(半桥)
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 182mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):31000pF @ 10V
功率 - 最大值:2450W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
应用
● 感应加热用逆变器
● 电机驱动逆变器
● 双向转换器
● 太阳能逆变器
● 功率调节器
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,总部所在地设在日本京都市,ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
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