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商品型号:NGW30T60M3DFQ

商品名称:NGW30T60M3DFQ

数据手册:NGW30T60M3DFQ.pdf

品牌:Nexperia

年份:23+

封装:TO-247-3L

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
Nexperia
型号
NGW30T60M3DFQ
封装
TO-247-3L
描述
IGBT 沟槽型场截止 600 V 75 A 285 W 通孔 TO247-3L

产品描述

NGW30T60M3DFQ是一款坚固耐用的绝缘栅双极晶体管 (IGBT),采用第三代技术。它结合了载流子存储沟槽栅极和场截止(FS)结构。额定温度高达 175 °C,具有优化的 IGBT 关断损耗,并具有 5 μL 的短路耐压时间。这款硬开关 600 V、30 A IGBT 专为高压而优化、低频工业功率变频器和伺服电机驱动应用进行了优化。


产品属性

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A

功率 - 最大值:285 W

开关能量:700µJ(开),400µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:130 nC

25°C 时 Td(开/关)值:60ns/180ns

测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):110 ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO247-3L


应用

● 用于工业和家用电器的电机驱动器

● 运行功率在 5-20 kW(最高 20 kHz)之间的伺服电机,用于机器人、电梯、操作机械手、在线制造等。

● 电源逆变器

● 不间断电源 (UPS) 逆变器

● 光伏 (PV) 组串

● 电动汽车充电

● 感应加热

● 焊接

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型号

品牌

封装

数量

描述

STG200G65FD8AG

ST

SMD

3222

IGBT 沟槽型场截止 650 V 200 A 表面贴装型 SMD

STGD4H60DF

ST

TO-252

3222

IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 DPAK(TO-252)类型 C2

STGWA40H65FB

ST

TO-247-3

3222

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线

IKY120N65EH7XKSA1

INFINEON

TO-247-4

1000

650V、120A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247-4 封装

IKB30N65ES5ATMA1

INFINEON

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽场截止 650V 62A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

IKB30N65EH5ATMA1

INFINEON

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽场截止 650V 55A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

RGS60NL65DHRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽型场截止 650V 59A 228W 表面贴装型 TO-263L

RGS60NL65HRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽型场截止 650V 59A 228W 表面贴装型 TO-263L

RGS50NL65HRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 沟槽型场截止 650V 50A 206W 表面贴装型 TO-263L

RGS30NL65DHRBTL

ROHM

TO-263-3

1000

IGBT 晶体管,8 秒短路容差,650V 15A

常见问题

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    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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Nexperia

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安世半导体(中国)有限公司 Nexperia是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初独立。Nexperia极为重视效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件,每年生产1,000多亿件性能可靠稳定的半导体元件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足汽车…

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