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NTTFD021N08C
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 80V 6A(Ta),24A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面贴装型 12-WQFN(3.3x3.3)

封装:12-WQFN
10起
10
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV08H350XT1
ON

产品说明:双半桥汽车功率MOSFET模块 80V 通孔 APM17-MDC

封装:17-PowerDIP
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FTCO3V455A2
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 40V 150A 115W 通孔 模块

封装:MOD−19
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FTCO3V455A1
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 40V 150A 115W 通孔 模块

封装:APMCB-A19
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF17MR12W1M1HP

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 底座安装 AG-EASY1B

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF1MR12KM1H

产品说明:配备 CoolSiC™ 沟槽 MOSFET 的 62 毫米 C 系列模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF1MR12KM1HP

产品说明:62 毫米 C 系列模块,配备 CoolSiC™ 沟槽 MOSFET 和预涂热界面材料

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4MR20KM1H

产品说明:MOSFET - 阵列 2000V(2kV) 280A(Tc) 底座安装 AG-62MMHB

封装:Module
10起
0
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4MR20KM1HP

产品说明:MOSFET - 阵列 2000V(2kV) 280A(Tc) 底座安装 AG-62MMHB

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR12KM1HP

产品说明:62 mm 1200 V、5.5 mΩ 半桥模块采用 CoolSiC™ MOSFET 技术,采用众所周知的 62mm 外壳

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SH32N65DM6AG
ST

产品说明:MOSFET - 阵列 650V 32A(Tc) 208W(Tc) 表面贴装型 9-ACEPACK SMIT

封装:9-PowerSMD
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SH63N65DM6AG
ST

产品说明:MOSFET 阵列 650V 53A (Tc) 424W (Tc) 表面贴装

封装:9-PowerSMD
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SH68N65DM6AG
ST

产品说明:MOSFET 阵列 650V 64A (Tc) 379W (Tc) 表面贴装

封装:9-PowerSMD
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170HRM11NG

产品说明:T 型 SiC MOSFET 功率模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170HRM451AG

产品说明:T 型 SiC MOSFET 功率模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170DUM23T3AG

产品说明:双共源 SiC MOSFET 功率模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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