商品名称：FF1MR12KM1HP
数据手册：
FF1MR12KM1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
FF1MR12KM1HP 62 毫米 1200 V、1.6 mΩ 半桥模块，采用 CoolSiC™ MOSFET 技术，采用众所周知的 62 毫米外壳，结合 M1H 芯片技术和预涂热界面材料 (TIM)。
特点
● 电气特性
● VDSS = 1200 V
● IDN = 560 A / IDRM = 1120 A
● 高电流密度
● 开关损耗低
● 机械特性
● 4 kV AC 1 min 绝缘
● 预涂热界面材料
应用
● UPS 系统
● 太阳能应用
● 直流/直流转换器
● 高频开关应用
● 储能系统
● 电动汽车直流充电器
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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