IGLD65R080D2 GaN 功率晶体管可以提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现高度可靠的设计和卓越的效率。
IGLD65R080D2晶体管采用底部冷却 DFN 封装，专为各种工业和消费类应用提供最佳功率耗散而设计。
特征：
• 增强模式晶体管 - 常闭开关
• 超快速开关
• 无反向恢复费用
• 能够反向传导
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 卓越的换向稳定性
• ESD （HBM/CDM） JEDEC 标准
型号
品牌
封装
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描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要，在这些应用中，价格/性能、实时响应性、计算能…
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IKW50N65WR5 高速 650 V、50 A 反向导电 TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT，采用 TO-247 封装。
IGC033S10S1
IGC033S10S1 是一款 100 V 常闭增强型功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其低导通电阻，它是在要求苛刻的高电压和大电流应用中实现可靠性能的理想选择。IGC033S10S1的特征：• 超快速开关和高效率• 节省空间且高度坚固的封装• 无反向恢复…
IGC033S101
IGC033S101 是一款 100 V 常闭增强型功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其低导通电阻，它是在要求苛刻的高电压和大电流应用中实现可靠性能的理想选择。特征：• 超快速开关和高效率• 节省空间且高度坚固的封装• 无反向恢复费用• 超低栅极
IGC025S08S1
IGC025S08S1 是一款 80 V 常闭增强型功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其极低的导通电阻，它是在要求苛刻的高电压和大电流应用中实现可靠性能的理想选择。IGC025S08S1的应用：• 电信和数据中心 48V IBC• AC-DC 和 DC-DC 转换器的同步整流…
IGC019S06S1
IGC019S06S1 是一款 60 V 常闭增强型功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其极低的导通电阻，它是在要求苛刻的高电压和大电流应用中实现可靠性能的理想选择。IGC019S06S1的应用：电池供电工具低功耗 SMPS电信和数据中心电动汽车、电动自行车、…电话咨询：86-755-83294757
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