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嵌入式和网络处理器

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NVG800A75L4DSB2
ON

产品说明:IGBT 模块 半桥逆变器 750 V 800 A 通孔 AHPM15-CEC

封装:15-PowerDIP 模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450N65L4Q2F2S1G
ON

产品说明:3 层 NPC 逆变器模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450N65L4Q2F2SG
ON

产品说明:3 层 NPC 逆变器模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450N65L4Q2F2PG
ON

产品说明:3 层 NPC 逆变器模块

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH160T120L2Q1SG
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽现场截止半桥 1200 V 140 A 280 W 底座安装 30-PIM

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH040P120MNF1PG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 74W 底座安装

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH020F120MNF1PG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) 底座安装 22-PIM(33.8x42.5)

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120MNF1PNG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120MNF1PTNG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH40B120MNQ0SNG
ON

产品说明:IGBT 模块 双路升压斩波器 118 W 底座安装 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH040P120MNF1PTG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 74W 底座安装

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH020P120MNF1PTG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) 底座安装

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120MNF1PTG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装

封装:Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGY75T120SQDN
ON

产品说明:IGBT 场截止 1200 V 150 A 790 W 通孔 TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL020N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,20 mohm,1200 V,M1,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG020N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、20 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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