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产品说明:IGBT 模块 半桥逆变器 750 V 800 A 通孔 AHPM15-CEC
封装:15-PowerDIP 模块产品说明:3 层 NPC 逆变器模块
封装:Module产品说明:3 层 NPC 逆变器模块
封装:Module产品说明:3 层 NPC 逆变器模块
封装:Module产品说明:IGBT 模块 沟槽现场截止半桥 1200 V 140 A 280 W 底座安装 30-PIM
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 74W 底座安装
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) 底座安装 22-PIM(33.8x42.5)
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装
封装:Module产品说明:IGBT 模块 双路升压斩波器 118 W 底座安装 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 30A(Tc) 74W 底座安装
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 51A(Tc) 119W(Tj) 底座安装
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装
封装:Module产品说明:IGBT 场截止 1200 V 150 A 790 W 通孔 TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,20 mohm,1200 V,M1,TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、20 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L
封装:D2PAK-7电话咨询:86-755-83294757
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