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MSC50DC170HJ

产品说明:1700V、50A、SOT-227 全桥mSiC™二极管模块

封装:SOT-227
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT80GA90LD40

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264

封装:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT75GN60LDQ3G

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264

封装:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT50GN60BDQ2G

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247

封装:TO-247-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT35GP120BG

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT35GN120L2DQ2G

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX

封装:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT100GN60LDQ4G

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264

封装:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT50GN60BDQ3G

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247

封装:TO-247-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT65GP60L2DQ2GQ

产品说明:绝缘栅双极晶体管(IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS

封装:TO-247-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA120SA

产品说明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SA

产品说明:700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC040SMA120SD

产品说明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:D3PAK-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC035SMA070SC

产品说明:700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:D3PAK-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120X10CTYZBNMG

产品说明:1200V、HPD、三相桥 + 驱动全选项混合动力驱动 mSiC™ MOSFET 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC180SMA120SDT

产品说明:1200V, 180 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SDT

产品说明:700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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