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深圳市明佳达电子有限公司
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服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

AI 加速器

NVMe 控制器
首页 /集成电路（IC）/功率器件

品牌:

不限 Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel ASPEED Diotec SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

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FGY100T120RWD

FGY100T120RWD

FGY100T120RWD.PDF
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产品说明：IGBT - 功率，Co-PAKN 沟道，现场停止 VII (FS7)、可控硅，功率 TO247-3L、1200V、1.4V、100A

封装：TO-247-3
10起
1000
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FGH40T120SMD-F155

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产品说明：IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 555 W 通孔 TO-247-3

封装：TO-247-3
10起
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FGH40T120SMD

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产品说明：IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 555 W 通孔 TO-247-3

封装：TO-247-3
10起
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询价对比
FGH40N60SFDTU

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产品说明：IGBT 场截止 600 V 80 A 290 W 通孔 TO-247-3

封装：TO-247-3
10起
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询价对比
FGY40T120SMD

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产品说明：IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 882 W 通孔 TO-247

封装：TO-247-3
10起
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NGTB45N60S2WG

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产品说明：IGBT 现场截止 600 V 45 A 通孔

封装：TO-247-3
10起
2000
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询价对比
NGTB30N120L2WG

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产品说明：IGBT 现场截止 1200 V 60 A 534 W 通孔

封装：TO-247-3
10起
2000
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询价对比
NGTB25N120FL2WG

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产品说明：IGBT 现场截止 1200 V 50 A 385 W 通孔

封装：TO-247-3
10起
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NXH010P120MNF1PG

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产品说明：MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 114A（Tc） 250W（Tj） 底座安装

封装：Module
10起
1000
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NXH008T120M3F2PTHG

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产品说明：MOSFET - 阵列 1200V 129A（Tc） 371W（Tc） 底座安装

封装：Module
10起
1000
1　+
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NXH004P120M3F2PTNG

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产品说明：MOSFET - 阵列 1200V 338A（Tc） 1098W（Tc） 底座安装

封装：Module
10起
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询价对比
NXH004P120M3F2PTHG

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产品说明：MOSFET - 阵列 1200V 284A（Tc） 785W（Tc） 底座安装

封装：Module
10起
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产品说明：MOSFET - 阵列 1200V 3mOhm 2组半桥拓扑结构，F2封装

封装：Module
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产品说明：MOSFET - 阵列 1200V 350A（Tc） 979W（Tc） 底座安装

封装：Module
10起
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NXH600B100H4Q2F2S1G

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产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 192 A 511 W 底座安装

封装：Module
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NXH600B100H4Q2F2PG

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产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 192 A 511 W 底座安装 44PIM

封装：Module
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