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FGH40T120SMD
ON

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 555 W 通孔 TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGH40N60SFDTU
ON

产品说明:IGBT 场截止 600 V 80 A 290 W 通孔 TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGY40T120SMD
ON

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 882 W 通孔 TO-247

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NGTB45N60S2WG
ON

产品说明:IGBT 现场截止 600 V 45 A 通孔

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NGTB30N120L2WG
ON

产品说明:IGBT 现场截止 1200 V 60 A 534 W 通孔

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NGTB25N120FL2WG
ON

产品说明:IGBT 现场截止 1200 V 50 A 385 W 通孔

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120MNF1PG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008T120M3F2PTHG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 129A(Tc) 371W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH004P120M3F2PTNG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 338A(Tc) 1098W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH004P120M3F2PTHG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 284A(Tc) 785W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH003P120M3F2PTNG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 3mOhm 2组半桥拓扑结构,F2封装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH003P120M3F2PTHG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 350A(Tc) 979W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH600B100H4Q2F2S1G
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 192 A 511 W 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH600B100H4Q2F2PG
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 192 A 511 W 底座安装 44PIM

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH600B100H4Q2F2SG
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 192 A 511 W 底座安装 44-PIM(93x47)

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH240B120H3Q1P1G
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三,双 - 共源 1200 V 68 A 158 W 底座安装 32-PIM(71x37.4)

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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