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产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 150A 560W 底座安装
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 947A(Tc) 3.75kW(Tc) 底座安装 SP6C LI
封装:MODULE产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 - IGBT,FET 600 V 50 A 90 W 底座安装 SP3
封装:SP3产品说明:MOSFET - 阵列 4 N 沟道 1200V 79A 310W 底座安装
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 2 N 沟道1200V 79A 310W 底座安装
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 2 N 沟道 1200V 79A 310W 底座安装
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V 79A 310W 底座安装
封装:MODULE产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 79A 310W
封装:MODULE产品说明:表面贴装型 N 通道 1200 V 360 mOhms TO-268
封装:TO-268产品说明:通孔 N 通道 1200 V 360 mOhms TO-247
封装:TO-247产品说明:表面贴装型 N 通道 1200 V 21A(Tc) 125W(Tc) TO-268
封装:TO-268产品说明:通孔 N 通道 1200 V 25A TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:N 通道 1200 V 88A(Tc) 278W(Tc)SOT-227-4
封装:SOT-227-4产品说明:表面贴装型 N 通道 1200 V 100A(Tc) 357W(Tc) D3PAK
封装:TO-268产品说明:通孔 N 通道 1200 V 113A(Tc) 455W(Tc) TO-247-4
封装:TO-247-4产品说明:通孔 N 通道 1200 V 113A(Tc) 455W(Tc) TO-247-3
封装:TO-247电话咨询:86-755-83294757
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