FCPF190N60 - 600V、199mΩ SUPERFET® II N 沟道功率 MOSFET 晶体管
型号:FCPF190N60
封装:TO-220F-3
类型:MOSFET 晶体管
描述:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,600V,199mΩ,TO-220F
产品概览
FCPF190N60 - SuperFET®II MOSFET 是全新的高压超级结 MOSFET 系列,采用先进的电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。这种先进的 MOSFET 不仅能最大限度地降低传导损耗,还能实现卓越的开关性能。与传统的超级结 MOSFET 相比,它不仅具有这些优势,还能提供极高的 dv/dt 速率和更大的雪崩能量。SuperFET II MOSFET 适用于以系统微型化和更高效率为目标的各种开关电源应用。
产品特性
650V @tj = 150°C
最大 RDS(on) = 199mΩ
超低栅极电荷(典型值 Qg = 57nC)
低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 160pF)
100% 通过雪崩测试
应用
LCD/ LED/ PDP 电视照明
太阳能逆变器
AC-DC 电源
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描述
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