IMSQ120R040M2HH CoolSiC™ MOSFET 离散型 1200 V,40 mΩ G2,采用顶部散热 Q-DPAK 双半桥封装,专为工业应用的广泛使用而设计,包括工业驱动器、电动汽车充电解决方案、太阳能系统和不间断电源。Q-DPAK 通过实现更轻松的组装和卓越的热性能,为客户提供更低的系统成本。与底部散热解决方案相比,顶部散热器件可实现更优化的PCB布局,从而减少寄生元件和杂散电感的影响,同时提供增强的热管理能力。
顶部散热Q-DPAK双半桥封装正引领散热、能效、设计灵活性和性能的新时代。
IMSQ120R040M2HH 特性
VDSS = 1200 V(Tvj = 25°C)
IDDC = 40 A(TC = 100°C)
RDS(on) = 40 mΩ,VGS = 18 V,Tvj = 25°C
极低的开关损耗
过载运行温度可达 Tvj = 200°C
短路耐受时间 2 µs
基准栅极阈值电压 4.2 V
对寄生导通具有抗扰性
适用于硬切换的坚固体二极管
.XT 互联技术
IMSQ120R040M2HH 的优势
更高的功率密度
支持自动化装配
简化设计复杂度
与BSC相比具有卓越的热性能
降低系统功率损耗
支持PD 2下的950 V VRMS
降低总拥有成本(TCO)或物料清单成本(BOM)
IMSQ120R040M2HH的应用领域
电动汽车充电
通用电机驱动
伺服电机驱动与控制
光伏应用
在线不间断电源(UPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
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