商品名称:MT53E768M32D4DT-046 WT:E
数据手册:MT53E768M32D4DT-046 WTE.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封装:200-VFBGA
货期:全新原装
库存数量:3000 件
MT53E768M32D4DT-046 WT:E LPDDR4 内存针对电池供电应用中的功耗问题进行了优化。这些内存器件的峰值带宽比 DDR4 快 33%。LPDDR4 存储器在待机模式下的功耗比标准 DRAM 低 5 倍。这些存储器件采用多芯片封装和封装上封装设计,节省了 PCB 空间。LPDDR4 存储器优化了 x16、x32 和 x64 配置,为某些应用节省了 BOM。LPDDR4 存储器集性能、功耗、延迟和物理空间于一身,因此非常节能。这些 LPDDR4 存储器适用于手机、电池供电应用和超便携设备。
功能特点
16n 预取 DDR 架构
每个通道有 8 个内部存储组,可同时运行
单数据速率 CMD/ADR 输入
每个字节通道的双向/差分数据选通
可编程的读取和写入延迟
可编程即时突发长度
每行定向刷新,可实现并行操作,便于命令调度
每个芯片速度高达 8.5 GB/s
片上温度传感器可控制自刷新率
部分阵列自刷新
可选输出驱动强度
时钟停止功能
可编程 VSS 终端
支持单端 CK 和 DQS
应用
POS/零售、智能/监控摄像机
M2M 模块
使用高达 4Gb LP1/LP2 MCP 的 3G/4G 无线网络
配备高达 8Gb LP4 MCP 的 5G 无线网络
型号
品牌
封装
数量
描述
Winbond
WFBGA-200
2000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 200-TFBGA(10x14.5)
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Micron是全球著名的半导体存储器方案供应商。该公司的存储器方案被应用于计算机及外设、消费电子、CAD/CAM、通信、办公室自动化、网络和数据处理、图形显示等。公司1978年组建,总部位于美国爱德荷州,有员工约16,000人,拥有全球化的生产、销售网点。目前主要生产DRAM、…
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