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H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM，主要面向智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统等移动设备。该芯片采用 FBGA-200封装，支持 1.8V/1.1V/0.6V多电压供电，具有 低功耗、高带宽 的特点，适用于高性能计算和存储密集型应用。

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR属于 LPDDR4X系列，相比标准LPDDR4，其I/O功耗降低45%，更适合节能型设备。

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR特性

低功耗设计

支持 0.6V超低I/O电压，相比LPDDR4节能45%。

多种省电模式（Self-Refresh、Deep Power-Down）。

高带宽性能

数据速率 3733Mbps（等效1866MHz时钟频率）。

双通道架构，提升数据传输效率。

高密度存储

2GB容量（1G×16组织架构），满足移动设备多任务需求。

增强可靠性

符合 AEC-Q100 车规认证（部分型号），适用于汽车电子。

支持 ECC（纠错码），提高数据完整性。

宽温支持

工作温度 -25°C ~ +85°C（商业级）或 -40°C ~ +105°C（工业级）。

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR参数

存储容量：2GB（1G×16）

数据速率：3733Mbps（LPDDR4X）

电压：1.8V（VDD）、1.1V（VDDQ）、0.6V（VDD2H）

封装：FBGA-200

温度范围：-25°C ~ +85°C（商业级）

接口：16位双通道

刷新模式：Auto/Self-Refresh

典型应用

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR 主要应用于：

智能手机/平板电脑：高分辨率显示、AI计算加速。

车载信息娱乐系统：导航、多媒体处理。

工业嵌入式设备：边缘计算、机器视觉。

消费电子：AR/VR设备、便携式游戏机。

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