CY7C1041G30-10ZSXI 是一款高性能 4 Mbit CMOS 快速静态 RAM,带有嵌入式 ECC,适用于工业应用。它的密度为 4 Mbit,提供并行接口,运行速度为 10 ns。这款 FAST SRAM 的工作温度范围为 -40°C 至 85°C,工作电压范围为 2.2V 至 3.6V。该器件提供单芯片使能选项和多引脚配置,引脚球表面处理为 Ni/Pd/Au。此外,它还具有 256K x 16 的组织结构,并包含一个ERR 引脚,用于在读取周期中发出错误检测和纠正事件信号。总之,CY7C1041G30-10ZSXI 可为工业应用提供高密度、高速和可靠的运行。
CY7C1041G30-10ZSXI 的规格
存储器大小:4 Mbit
组织:256 k x 16
访问时间:10 毫微秒
接口类型:并行
电源电压 - 最大值:3.6 V
电源电压 - 最低:2.2 V
电源电流 - 最大:45 mA
最低工作温度:- 40 C
最高工作温度:+ 85 C
单位重量:453.250 毫克
CY7C1041G30-10ZSXI 的特点
高速
嵌入式 ECC,用于单位纠错
低工作电流和待机电流
工作电压范围:2.2V 至 3.6V
1.0 V 数据保持
兼容 TTL 的输入和输出
CY7C1041G30-10ZSXI 的应用
家用机器人
工业自动化
二次配电系统
型号
品牌
封装
数量
描述
Winbond
WFBGA-200
2000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 200-TFBGA(10x14.5)
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